Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPD08N50C3ATMA1
MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPD08N50C3
SPD08N50C3ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SPD08N50C3ATMA1, 500V drain-source gerilimi ile tasarlanan N-Channel MOSFET transistördür. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 25°C'de 7.6A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 600mOhm maksimum on-direnç (Rds On) değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. ±20V gate gerilimi aralığında çalışan bu transistör, 83W maksimum güç dissipasyonuna uygundur. Geniş işletme sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ve düşük kapasitans değerleri (750pF @ 25V), yüksek frekanslı switching devreleri, DC-DC konvertörleri ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. Bileşen halen yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 750 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 4.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 350µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok