Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SPD07N60S5T

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
SPD07N60S5T

SPD07N60S5T Hakkında

SPD07N60S5T, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 600V drain-source gerilim ve 7.3A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama ve güç kontrol devrelerinde, switched-mode güç kaynakları (SMPS), motor kontrol uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir. 83W maksimum güç tüketimi ve 600mΩ on-direnci ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilmesi geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 970 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 4.6A, 10V
Supplier Device Package PG-TO252-3-11
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 350µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok