Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPD07N60S5
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPD07N60S5
SPD07N60S5 Hakkında
SPD07N60S5, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltajı ve 7.3A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 600mΩ maksimum RDS(on) değeri ve 35nC gate charge karakteristiği ile anahtarlama hızı ve verimlilik dengesini sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu komponent, TO-252-3 (DPak) paketinde sunulmakta olup endüstriyel güç yönetimi, motor kontrolü ve güç kaynağı devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. 83W maksimum güç dağılımı kapasitesi sayesinde ağır yüklü anahtarlama uygulamalarına uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 970 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 4.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 350µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok