Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SPD07N60C3T

MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
SPD07N60C3

SPD07N60C3T Hakkında

SPD07N60C3T, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistördür. 7.3A sürekli dren akımı kapasitesi ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 600mΩ maksimum Rds(on) değeri ile verimli enerji dönüşümü sağlar. TO-252-3 (DPak) paketlemesi ile kompakt tasarımlar için uygundur. Yüksek voltaj uygulamaları, güç kaynakları, motor sürücüleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 27nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özellikleri vardır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 790 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 4.6A, 10V
Supplier Device Package PG-TO252-3-11
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 350µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok