Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPD07N20GBTMA1
MOSFET N-CH 200V 7A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPD07N20GBTMA1
SPD07N20GBTMA1 Hakkında
SPD07N20GBTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source voltajı ve 7A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 40W güç yayımına kapaklıdır. 10V gate sürüş voltajında 400mOhm maksimum On-direnci sağlayan transistör, anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu komponent, düşük gate charge değeri (31.5nC) sayesinde hızlı anahtarlamaya olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 530 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok