Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPD06N80C3BTMA1
MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPD06N80C3
SPD06N80C3BTMA1 Hakkında
SPD06N80C3BTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 800V N-Channel MOSFET transistörüdür. 6A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. 900mΩ maksimum Rds(on) değeri ile enerji kaybını minimumda tutar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 83W güç saçabilme kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 785 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 3.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok