Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPD06N80C3ATMA1
MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPD06N80C3
SPD06N80C3ATMA1 Hakkında
SPD06N80C3ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V drain-source voltajı ve 6A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronikleri, SMPS (Switched Mode Power Supply) devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında ve yüksek voltaj anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır. 10V gate voltajında 900mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 83W güç yayılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 785 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 3.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok