Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPD06N60C3BTMA1
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPD06N60C3
SPD06N60C3BTMA1 Hakkında
SPD06N60C3BTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source voltaj ve 6.2A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, 750mΩ maksimum Rds(on) değeri ile anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, motor kontrol sistemleri ve AC-DC dönüştürücülerde etkin bir şekilde çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 31nC gate charge ve 620pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama özelliği sunmaktadır. ±20V maksimum gate-source voltajı ile geniş uygulanabilirlik alanına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 620 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 3.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 260µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok