Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPD06N60C3ATMA1
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPD06N60C3
SPD06N60C3ATMA1 Hakkında
SPD06N60C3ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 6.2A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 750mΩ maksimum on-direnci ile enerji kaybını sınırlar. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel güç dönüştürücüler, anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS), motor kontrol devreleri ve yüksek gerilim DC-DC dönüştürücüleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 31nC gate charge ve 620pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 620 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 3.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 260µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok