Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPD04P10PLGBTMA1
MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPD04P10
SPD04P10PLGBTMA1 Hakkında
SPD04P10PLGBTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi, 4.2A sürekli dren akımı kapasitesi ve 850mOhm (10V/3A şartlarında) on-resistance ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 DPak paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrolü, güç kaynakları ve elektriksel yük anahtarlaması gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 372 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 38W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 380µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok