Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPD04P10PGBTMA1
MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPD04P10PGB
SPD04P10PGBTMA1 Hakkında
SPD04P10PGBTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 100V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 4A sürekli dren akımı kapasitesi ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bileşen, 1Ω maksimum Rds(on) değeri ile düşük kayıp özelliğe sahiptir. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 175°C) ve 38W güç tüketim kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında, güç yönetimi, motor kontrol ve anahtarlama devreleri için tercih edilir. Surface mount yapısı otomasyonlu üretimi kolaylaştırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 319 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 38W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 2.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 380µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok