Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPD04N80C3ATMA1
MOSFET N-CH 800V 4A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPD04N80C3
SPD04N80C3ATMA1 Hakkında
SPD04N80C3ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 800V drain-source voltaj ve 4A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 1.3Ohm RDS(on) değeri ile verimli güç dağılımı sağlar. Gate charge 31nC olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, motor kontrol, DC-DC konvertörler ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 570 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3Ohm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 240µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok