Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPD04N60S5BTMA1
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPD04N60S5
SPD04N60S5BTMA1 Hakkında
SPD04N60S5BTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 4.5A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama işlemlerini gerçekleştirir. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu komponen, 950mΩ RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen cihaz, güç kaynakları, inverter devreleri, motor kontrol uygulamaları ve endüstriyel anahtarlama sistemlerinde kullanılır. 50W güç disipasyon kapasitesi ve düşük gate şarj ile hızlı komütasyon özellikleri vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22.9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 580 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 2.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok