Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPD04N60C3BTMA1
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPD04N60C3
SPD04N60C3BTMA1 Hakkında
SPD04N60C3BTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 4.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 950mOhm (10V, 2.8A'de) on-state direnci ile güç anahtarlama devreleri, motor kontrol uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 50W maksimum güç tüketimi kapasitesi ile endüstriyel ve ticari elektronik uygulamalarında kullanım için tasarlanmıştır. Özellikle anahtarlama hızının önemli olduğu uygulamalarda 25nC gate charge değeri ile hızlı komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 490 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 2.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok