Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPD04N60C3ATMA1
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPD04N60C3
SPD04N60C3ATMA1 Hakkında
SPD04N60C3ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltajı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Sürekli 4.5A drain akımı kapasitesi ve 950mOhm maksimum on-state direnci ile güç anahtarlama devrelerinde çalışır. TO-252 (DPak) paketinde surface mount olarak monte edilir. Sıcaklık aralığı -55°C ile 150°C arasındadır. Endüstriyel kontrol sistemleri, motor sürücüler, switched-mode power supplies (SMPS) ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılmaktadır. Bileşen yeni tasarımlar için önerilmemektedir (Not For New Designs statüsü).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 490 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 2.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok