Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPD04N50C3BTMA1
MOSFET N-CH 560V 4.5A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPD04N50C3
SPD04N50C3BTMA1 Hakkında
SPD04N50C3BTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 560V drain-source gerilimi ve 4.5A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 950mOhm maksimum on-direnç (10V gate geriliminde, 2.8A dren akımında) ile verimli komütasyon sağlar. Maksimum 50W güç tüketimi kapasitesine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Gate threshold gerilimi 3.9V (@200µA) ve maksimum gate gerilimi ±20V'dir. Endüstriyel güç yönetimi, motor sürücüler ve DC-DC dönüştürücülerde uygulanır. Bileşen üretim durdurulmuş (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 560 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 470 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 2.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok