Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPD03N60C3BTMA1
MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPD03N60C3
SPD03N60C3BTMA1 Hakkında
SPD03N60C3BTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ve 3.2A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 1.4Ω on-state direnci (RDS(on)) ile güç kaybını minimize eder. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrolü ve enerji yönetimi sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. ±20V maksimum gate gerilimi ile standart sürücü devrelerle uyumludur. Düşük gate charge (17nC @ 10V) sayesinde hızlı anahtarlama işlemi gerçekleştirebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 38W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 135µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok