Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPD03N60C3
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPD03N60C3
SPD03N60C3 Hakkında
SPD03N60C3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim sınırı ve 3.2A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) SMD paketinde sunulur. 1.4Ω On-Resistance değeri ile güç yönetimi uygulamalarında ve anahtarlama devrelerinde kullanılmaya uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Gate charge özellikleri ile hızlı anahtarlama sağlar. Endüstriyel kontrolörlerde, güç kaynakları, LED sürücüleri ve motor kontrol devrelerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 38W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-313 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 135µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok