Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPD02N80C3BTMA1
MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPD02N80C3
SPD02N80C3BTMA1 Hakkında
SPD02N80C3BTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V Drain-Source gerilimi ve 2A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paket içinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrolü ve enerji dönüştürme uygulamalarında yer alır. 2.7Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıplar sağlar. -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sunar. Surface mount teknolojisiyle PCB'ye doğrudan monte edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 290 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7Ohm @ 1.2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 120µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok