Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPD02N50C3
MOSFET N-CH 560V 1.8A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPD02N50C3
SPD02N50C3 Hakkında
SPD02N50C3, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 560V drain-source voltajı ve 1.8A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi üstlenir. Maksimum 3Ohm on-direnci (Rds On) sayesinde enerji kaybı minimize edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen komponent, TO-252-3 (DPak) paketinde sunulmaktadır. 9nC gate charge ve 190pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. İçinde bulunmayan etkili tasarımı nedeniyle günümüzde kullanımdan kaldırılmış durumda olup, arşiv ve bakım amaçlı uygulamalarda referans alınabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 560 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 190 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 1.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 80µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok