Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPD01N60C3BTMA1
MOSFET N-CH 650V 800MA TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPD01N60C3BTMA1
SPD01N60C3BTMA1 Hakkında
SPD01N60C3BTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V N-kanallı MOSFET transistördür. Maksimum 800mA sürekli drenaj akımı ile çalışabilen bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında güç anahtarlaması ve kontrol işlevleri gerçekleştirmek için tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) kasa türünde yüzey montajı uygulamaya uygun olup, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 6Ω maksimum on-direnci (Rds On) değeri ve düşük gate yükü (5nC) ile enerji verimliliğini destekler. Anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, inverter uygulamaları ve endüstriyel elektronik sistemlerinde kullanılır. Bileşen obsolete (üretim dışı) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 800mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 11W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok