Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPB80P06PGATMA1
MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPB80P06P
SPB80P06PGATMA1 Hakkında
SPB80P06PGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajı ve 80A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 23mOhm maksimum on-state direnci ile verimli komütasyon sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Motor kontrolü, güç kaynakları, invertörler ve DC-DC dönüştürücü gibi yüksek akım uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 173 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5033 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 340W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 64A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 5.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok