Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPB80N10L G
MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPB80N10L
SPB80N10L G Hakkında
SPB80N10L G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, düşük 14mΩ on-state direnci (RDS(on)) ile ısıl kayıpları minimize eder. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilen bileşen, motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC konvertörleri ve yüksek akımlı anahtarlama devreleri gibi endüstriyel ve tüketici uygulamalarında tercih edilir. 240nC gate charge değeri hızlı anahtarlama yapılmasını sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 240 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4540 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 58A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok