Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPB80N08S2L-07
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPB80N08S2L
SPB80N08S2L-07 Hakkında
SPB80N08S2L-07, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 75V Drain-Source gerilim ve 80A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 6.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paketlemesi ile kompakt tasarımlara uyguntur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 300W güç yayabilir. Güç düzenleyicileri, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel inverter tasarımlarında kullanılan yüksek akım anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. Ürün üretimi sonlandırılmıştır (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 233 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6820 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8mOhm @ 67A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok