Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPB80N06S2L-06
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPB80N06S2L
SPB80N06S2L-06 Hakkında
SPB80N06S2L-06, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source voltajı ve 80A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 6.3mΩ maksimum Rds(on) değeriyle düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve maksimum 250W güç yayabilir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, elektrik araç sistemleri ve endüstriyel güç dönüştürücülerinde yaygın olarak tercih edilir. 150nC gate charge değeri hızlı komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5050 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3mOhm @ 69A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 180µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok