Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPB80N06S2-09
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPB80N06S2
SPB80N06S2-09 Hakkında
SPB80N06S2-09, Infineon Technologies tarafından üretilen 55V/80A kapasiteli N-Channel MOSFET transistördür. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu komponent, güç dönüştürme uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 9.1 mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu transistör, DC/DC konverterler, motor sürücüler ve güç amplifikatörü tasarımlarında yer alır. 190W maksimum güç yayılım kapasitesi, 80 nC kapı yükü ve 3140 pF giriş kapasitanesi ile verimli anahtarlama performansı sunar. Kompakt yüzey montaj paketi, yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun olarak tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3140 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 190W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.1mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 125µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok