Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPB80N06S2-08
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPB80N06S2
SPB80N06S2-08 Hakkında
SPB80N06S2-08, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source voltaj ve 80A sürekli drain akımı ile tasarlanmış olup, düşük 8mΩ on-resistance değeri ile yüksek anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263 D²Pak paketlemesi ile surface mount montajına uygun olan bu transistör, ±20V gate voltaj aralığında çalışır. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında stabil performans sunar. Güç kaynağı denetimi, motor sürücüleri, PWM uygulamaları ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. 96nC gate charge değeri hızlı anahtarlama süresi sağlar. Cihazın Obsolete (kullanımdan kaldırılmış) durumunda olduğu dikkate alınmalıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 96 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 215W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 58A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok