Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPB80N06S2-05
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPB80N06S2
SPB80N06S2-05 Hakkında
SPB80N06S2-05, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 80A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük on-direnç (Rds(on)) uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve motor kontrol sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. 300W maksimum güç yayılımı kapasitesine sahiptir. 4,8mΩ maksimum on-direnci ile enerji verimliliği gerektiren endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6790 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok