Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPB80N03S2L06T
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPB80N03S2L06T
SPB80N03S2L06T Hakkında
SPB80N03S2L06T, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim ve 80A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu komponent, 5.9mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük direnç uygulamaları için uygundur. -55°C ile +175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. Güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Gate charge değeri 68nC'dir ve maksimum gate gerilimi ±20V'tur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2530 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.9mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 80µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok