Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPB80N03S2L-05 G
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPB80N03S2L
SPB80N03S2L-05 G Hakkında
SPB80N03S2L-05 G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj ve 80A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (4.9mOhm @ 10V) ile verimli güç anahtarlaması sağlar. TO-263-3 (D²Pak) kılıfında sunulan komponent, geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ~ 175°C) stabil performans sunar. Hızlı anahtarlama özelliği, düşük kapı yükü (89.7nC) ve kontrollü input kapasitans (3320pF) sayesinde motor sürücüleri, güç kaynakları, PWM uygulamaları ve DC/DC dönüştürücüler gibi pek çok güç yönetimi uygulamasında kullanılır. 10V gate voltaj ile tam iletim durumunda çalıştırılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 89.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3320 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 167W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9mOhm @ 55A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 110µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok