Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPB80N03S203GATMA1
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPB80N03S203GATMA1
SPB80N03S203GATMA1 Hakkında
SPB80N03S203GATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi (Vdss) ve 80A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 10V kapı geriliminde 3.1mΩ düşük RDS(on) değerine sahip olup, düşük güç kaybı uygulamaları için uyumludur. 150nC kapı yükü ve 7020pF giriş kapasitansi ile hızlı anahtarlama sağlar. TO-263-3 (D²Pak) Surface Mount paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışır, maksimum 300W güç yayınlayabilir. Üretim kaydı eski (Obsolete) olup, stok kontrol önemlidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7020 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok