Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPB73N03S2L08T
MOSFET N-CH 30V 73A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPB73N03S2L08T
SPB73N03S2L08T Hakkında
SPB73N03S2L08T, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltajında 73A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paketlemesiyle kompakt tasarımlarda kullanılır. 8.1mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge değeri 46.2nC ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. -55°C ile +175°C arasında çalışır. Endüstriyel güç elektroniği, motor kontrolü, switched-mode power supplies (SMPS) ve enerji dönüşüm uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Maksimum 107W güç dissipasyonuna dayanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 73A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1710 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 107W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.1mOhm @ 36A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 55µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok