Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPB42N03S2L13T
MOSFET N-CH 30V 42A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPB42N03S2L13T
SPB42N03S2L13T Hakkında
SPB42N03S2L13T, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilim (Vdss) ve 25°C'de 42A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. 10V gate geriliminde 12.6mΩ maksimum on-state direnci (Rds On) ile düşük kayıp uygulamaları destekler. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, güç yönetimi, motor kontrolü, LED sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bileşen, 83W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle endüstriyel ve tüketici elektroniğinde geniş uygulama alanına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 42A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1130 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.6mOhm @ 21A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 37µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok