Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPB35N10T
MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPB35N10T
SPB35N10T Hakkında
SPB35N10T, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 35A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve benzer güç dönüşüm uygulamalarında yer alır. 44mOhm maksimum on-state direnci ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Maksimum 150W güç tüketimi kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1570 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44mOhm @ 26.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 83µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok