Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPB21N50C3ATMA1
MOSFET N-CH 560V 21A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPB21N50C3
SPB21N50C3ATMA1 Hakkında
SPB21N50C3ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 560V N-Channel MOSFET transistördür. TO263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 21A sürekli drain akımı ve 190mOhm maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±20V gate voltaj aralığı ve 3.9V threshold voltajı ile kontrol devrelerinin doğrudan bağlanmasına uyygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen komponent, güç kaynakları, motor denetleyicileri ve endüstriyel elektronik sistemlerindeki yüksek gerilim anahtarlama işlemlerinde tercih edilir. 208W maksimum güç tüketim kapasitesi ile ısıl yönetimi gerektiren uygulamalar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 560 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 208W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 13.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok