Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPB21N10T
MOSFET N-CH 100V 21A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPB21N10T
SPB21N10T Hakkında
SPB21N10T, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 21A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş geriliminde 80mΩ on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketi ile yoğun PCB tasarımlarına uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Motor sürücüleri, anahtarlama kaynakları, DC-DC konvertörleri ve ağır yükün anahtarlanması gereken endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. 38.4nC gate charge ve 865pF input capacitance ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Maksimum 90W güç harcanabilir. Bileşen obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 865 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 44µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok