Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPB21N10 G
MOSFET N-CH 100V 21A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPB21N10
SPB21N10 G Hakkında
SPB21N10 G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim (Vdss) ve 21A sürekli drain akımı (Id) kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüşü ile 80mOhm maksimum on-state direnci (Rds On) sağlar. -55°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilen transistör, 90W maksimum güç tüketimi ile güç elektronikleri uygulamalarında, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve anahtarlama devreleri gibi alanlarda kullanılır. 38.4nC gate charge ve 865pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama karakteristiği sunar. Not: Bu ürün üretim dışı (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 865 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 44µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok