Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPB20N60C3ATMA1
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPB20N60C3
SPB20N60C3ATMA1 Hakkında
SPB20N60C3ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilim ve 20.7A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 190mOhm On-state direnç değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. TO-263-3 (D²Pak) paketlemesi sayesinde kompakt PCB tasarımına uyum gösterir. Endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreler, enerji dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 114 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 208W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 13.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok