Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPB18P06PGATMA1
MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPB18P06P
SPB18P06PGATMA1 Hakkında
SPB18P06PGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajında 18.7A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu komponent, 130mOhm maksimum on-state direncine (Rds On) sahiptir. D2PAK (TO-263-3) yüzey montajı paketinde sunulan cihaz, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, LED sürücüleri ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen transistör, 81.1W maksimum güç dağılımı kapasitesine ve 10V kapı sürücü voltajına sahiptir. 28nC gate charge ve 860pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için optimizedir. ±20V maksimum gate-source voltajı desteği sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 860 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 81.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 13.2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok