Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPB17N80C3ATMA1
MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPB17N80C3
SPB17N80C3ATMA1 Hakkında
SPB17N80C3ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 800V N-Channel MOSFET transistörüdür. 17A sürekli dren akımı ve 290mΩ maksimum RDS(on) değeri ile yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama görevini yerine getirir. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, konvertörler, motor kontrol devreleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 177nC gate charge ve 2300pF input capacitance değerleriyle hızlı ve kontrollü anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 177 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2300 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 227W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok