Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPB16N50C3ATMA1
MOSFET N-CH 560V 16A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPB16N50C3
SPB16N50C3ATMA1 Hakkında
SPB16N50C3ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 560V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 16A sürekli drenaj akımı ve 280mΩ RDS(on) değeri ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 160W güç tüketimi ve -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığı ile endüstriyel ve ticari uygulamalara uygundur. Yüksek voltaj anahtarlama, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve güç yönetimi devrelerinde yer alır. ±20V kapı voltajı aralığında çalışır ve 66nC kapı yükü ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Bileşen güncel üretimde bulunmamaktadır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 560 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 160W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 675µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok