Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SPB160N04S203CTMA1

MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

Paket/Kılıf
TO-263-8
Seri / Aile Numarası
SPB160N04S203CTMA1

SPB160N04S203CTMA1 Hakkında

SPB160N04S203CTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V Drain-Source gerilimi ve 160A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulmaktadır. 2.9mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalara uygundur. ±20V gate gerilimi aralığında çalışabilen transistör, -55°C ile 175°C arasında stabil performans gösterir. Güç elektronikleri, motor sürücüleri, anahtarlama güç kaynakları ve yük yönetimi uygulamalarında kullanılır. 300W maksimum güç yayılımı kapasitesi bulunmaktadır. Surface mount teknolojisi ile PCB'ye doğrudan entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 160A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7320 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9mOhm @ 80A, 10V
Supplier Device Package PG-TO263-7-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok