Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPB12N50C3ATMA1
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPB12N50C3
SPB12N50C3ATMA1 Hakkında
SPB12N50C3ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 560V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 11.6A sürekli dren akımı ve 380mOhm maksimum on-state direnci ile çalışır. Gate charge değeri 49nC olup, ±20V gate-source voltaj aralığında çalışabilir. Sıcaklık aralığı -55°C ile 150°C (junction) arasında değişmektedir. 125W maksimum güç yayınlayabilir. Yüksek voltaj uygulamalarında, anahtarlama devreleri, güç kaynakları ve motor kontrolü gibi endüstriyel uygulamalarda kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Surface mount montajına uygun yapısı PCB entegrasyonunu kolaylaştırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 560 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok