Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPB11N60S5ATMA1
MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPB11N60S5
SPB11N60S5ATMA1 Hakkında
SPB11N60S5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim kapasitesi ve 11A sürekli drenaj akımı ile güç uygulamalarında kullanılan yarı iletken elementidir. TO-263 paketinde sunulan bu bileşen, 380mΩ on-state direnci sayesinde düşük ısı kaybı sağlar. Endüstriyel kontrolcüler, anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüleri ve voltaj dönüştürücü uygulamalarında yer alır. -55°C ile +150°C arasında çalışan cihaz, 125W güç tüketebilir. ±20V gate gerilim aralığında ve 10V drive voltajında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1460 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok