Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPB11N60C3ATMA1
MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPB11N60C3
SPB11N60C3ATMA1 Hakkında
SPB11N60C3ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistördür. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 11A sürekli dren akımı ve 380mΩ maksimum RDS(on) değeri ile elektrik güç sistemlerinde anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 125W maksimum güç tüketimi kapasitesi ile switching power supplies, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sağlar. Not: Bu ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok