Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPB10N10LG
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPB10N10LG
SPB10N10LG Hakkında
SPB10N10LG, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 100V Drain-Source voltaj kapasitesi ile 10.3A sürekli drain akımı sağlayarak güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paketlemesi ile kompakt tasarımlara uygun olup, 50W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. 154mOhm maksimum on-direnci (10V gate voltajında) ile anahtarlama kayıplarını minimize eder. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. DC-DC konvertörler, motor sürücüleri ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 444 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 154mOhm @ 8.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 21µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok