Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPB10N10 G
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPB10N10
SPB10N10 G Hakkında
SPB10N10 G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ile çalışabilen bu bileşen, sürekli 10.3A drain akımı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan transistör, 170mΩ tipik on-resistance değerine sahiptir. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 175°C) güvenilir çalışma sunar. Motor kontrolü, güç yönetimi devreleri, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanıma uygundur. 19.4nC gate charge ve düşük input capacitance, hızlı anahtarlama performansı sağlar. Yüksek güç dissipation kapasitesi (50W) ve ±20V gate-source gerilim toleransı ile esnek devre tasarımına olanak tanır. Not: Bu ürün güncel piyasada temin edilemeyen eski versiyon statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 426 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 7.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 21µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok