Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPB100N04S2-04
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPB100N04S2
SPB100N04S2-04 Hakkında
SPB100N04S2-04, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source voltajı ve 100A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 3.3mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan komponent, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Gate charge değeri 172nC olup, 10V gate sürüş voltajında çalışmaya uygunlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 172 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7220 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok