Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPB100N03S2L03T
MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPB100N03S2L03T
SPB100N03S2L03T Hakkında
SPB100N03S2L03T, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 100A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, düşük 2.7mΩ on-resistance değeri sayesinde enerji verimli anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen komponen, motor sürücüleri, güç yönetimi, LED kontrolü ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 300W maksimum güç dağıtım kapasitesi, yüksek hızlı anahtarlama gerektiren sistemlerde kullanılmaya uygundur. Ürün üretimi durdurulmuş olup, stok mevcudiyeti sınırlıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 220 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8180 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok