Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPB100N03S2L-03 G
MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPB100N03S2L
SPB100N03S2L-03 G Hakkında
SPB100N03S2L-03 G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 100A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-state direnci (2.7mΩ) sayesinde anahtarlama uygulamalarında ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu MOSFET, endüstriyel uygulamalar, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörler ve enerji dönüşüm sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. 300W maksimum güç yayılım kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarına uygun olup, kompakt tasarımı sayesinde alan kısıtlaması olan tasarımlara entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 220 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8180 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok